Görsel mevcut değil
NJVMJD31CT4G-VF01
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- BIPOLAR NPN 3A 100V TRANSISTOR
NJVMJD31CT4G-VF01 Hakkında
NJVMJD31CT4G-VF01, Rochester Electronics tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanıma elverişlidir. 1.56W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, özellikle güç sürücüleri, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahip olması, zorlu çevre koşullarındaki uygulamalarda güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V