Görsel mevcut değil
NJVMJD2955T4G
NJVMJD2955T4G Hakkında
NJVMJD2955T4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım PNP bipolar transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 60V kollektör-emitör diyot gerilimi ve 10A maksimum kollektör akımı kapasitesine sahiptir. 1.75W güç dağıtma yetenekleri ile DC anahtarlama, düşük frekanslı amplifikasyon ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv devreleri için uygundur. 2MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemlerine uyumludur. Düşük güç uygulamaları, motor kontrolü, elektronik anahtarlar ve koruma devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 4A, 4V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
8V @ 3.3A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V