Görsel mevcut değil
NJVMJB44H11T4G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 10A, N
NJVMJB44H11T4G Hakkında
NJVMJB44H11T4G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek akım NPN güç transistörüdür. TO-263 D²Pak paketinde sunulan bu komponent, 10A maksimum kolektör akımı ve 80V C-E breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 2W güç dissipasyonu kapasitesi, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında stabilite sağlar. 50MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. 1V saturation voltajı ve 40 minimum hFE (4A, 1V'te) karakteristikleri, anahtarlama hızı ve verim gerektiren endüstriyel kontrol, motor sürüş ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
D²PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V