Görsel mevcut değil
NJVMJB41CT4G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 6A, 10
NJVMJB41CT4G Hakkında
NJVMJB41CT4G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi güç bipolar transistörüdür. 6A collector akımına kadar çalışabilen bu transistör, 10V nominal gerilim ile tasarlanmıştır. Surface mount D²Pak (TO-263-3) paketinde sunulan bileşen, 2W maksimum güç yönetebilir. 15 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta seviye amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 3MHz transition frekansı ile ses frekansı ve düşük frekans uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ortamlarda da uygulanabilir. Güç yönetimi, motor denetimi, switch uygulamaları ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector Cutoff (Max)
700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
D²PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A