Görsel mevcut değil
NGTG35N65FL2WG
NGTG35N65FL2WG Hakkında
NGTG35N65FL2WG, onsemi tarafından üretilen Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 70A maksimum kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 300W güç dağıtabilir. 125nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir (on: 72ns, off: 132ns @ 25°C). -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işletimi mümkündür. Switching uygulamalarında, inverterlerde, motor denetim devrelerinde ve güç kaynağı tasarımlarında tercih edilir. Standard input tipi ve through-hole montaj özelliğine sahiptir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
125 nC
IGBT Type
Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
840µJ (on), 280µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
72ns/132ns
Test Condition
400V, 35A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V