Görsel mevcut değil
NGTD30T120F2WP
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
NGTD30T120F2WP Hakkında
NGTD30T120F2WP, onsemi tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistördür. Die (ölçek) formunda sunulan bu bileşen, 200A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum VCE(on) değeri 15V gate voltajında 40A akımda 2.4V olarak belirlenmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen bu transistör, güç dönüştürme uygulamalarında, invertörler ve anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Standard giriş tipine sahip olan bileşen, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. Ürün, yerleşik yüksek akım kapasitesi ve düşük açılma gerilimi karakteristikleri ile bilgisayar güç kaynakları, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V