Görsel mevcut değil
NGTD30T120F2SWK
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
NGTD30T120F2SWK Hakkında
NGTD30T120F2SWK, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 1200V desen yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Die form faktöründe sunulan bu komponent, 200A pulse collector akımı ve 2.4V (15V gate geriliminde, 40A collector akımında) maksimum açık durum gerilimi (Vce(on)) ile çalışır. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında denenmiştir. Endüstriyel güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan yüksek verimli anahtarlama elemanıdır. Trench Field Stop yapısı düşük kayıplar ve hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V