Görsel mevcut değil
NGTD28T65F2WP
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
NGTD28T65F2WP Hakkında
NGTD28T65F2WP, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Die (kalıp) formunda sunulan bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 200A puls collector akımı kapasitesi ile güç dönüştürme, motor kontrol, enerji yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi alanlarda tercih edilir. 2V @ 75A nominal Vce(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, standart input tipine ve Surface Mount montajına uyumludur.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V