Görsel mevcut değil
NGTD23T120F2WP
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
- Aile / Seri
- NGTD23T120F2
NGTD23T120F2WP Hakkında
NGTD23T120F2WP, onsemi tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop IGBT transistördür. Bu tekil transistör die, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 120 A darbe kolektör akımı kapasitesi ve 2.2V tipik açık durumu gerilimi ile güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel inverter tasarımlarında tercih edilir. Standart giriş tipine sahip olan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir performans sunar. Die paket tipinde sunulan IGBT, özel uygulamalar ve entegrasyonlar için kullanılır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
İlgili Ürünler
