Görsel mevcut değil
NGTD21T65F2WP
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
NGTD21T65F2WP Hakkında
NGTD21T65F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip bir IGBT transistördür. 650V diyot yapısı ve 45A nominal akımı ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Die paket formatında sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilir. 1.9V @ 15V, 45A'deki Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreleri ve benzer yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 200A pik kollektör akımı kapasitesi ile darbe tabanlı yüksek akım devrelerine uyumludur.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 45A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V