2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
NGTD21T65F2SWK Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

NGTD21T65F2SWK

Üretici
onsemi
Kılıf / Paket
Açıklama
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

NGTD21T65F2SWK Hakkında

NGTD21T65F2SWK, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. Die formunda sunulan bu bileşen, 200A darbe akımı kapasitesine sahip olup yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 45A akımda maksimum 1.9V'tur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunmaktadır. Endüstriyel anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreler, güç dönüştürücüler ve benzer yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. Trench Field Stop teknolojisi, daha düşük açılış kaybı ve geliştirilmiş kısa devre dayanımı sağlamaktadır.

Ürün Özellikleri

10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case Die
Part Status Obsolete
Supplier Device Package Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 45A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650 V