Görsel mevcut değil
NGTD20T120F2WP
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
NGTD20T120F2WP Hakkında
NGTD20T120F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop tipi bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 1200V maksimum kolektor-emitter gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 20A nominal akımda 2.4V açık durumda gerilime sahiptir ve 100A darbe akımına dayanabilir. Die paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri devreleri, inverterler, motor sürücüleri ve değiştirici uygulamalarında kullanılır. Standard giriş tipi kontrol devrelerine uyumludur. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş ölçüde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına elverişlidir.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V