Görsel mevcut değil
NGTD20T120F2SWK
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
NGTD20T120F2SWK Hakkında
NGTD20T120F2SWK, onsemi tarafından üretilen 1200V Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Die formunda sunulan bu komponent, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. 20A nominal akım ve 100A pulse akım kapasitesi ile, güç dönüştürme sistemlerinde, motor sürücülerinde ve endüstriyel inverter uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 2.4V (15V gate voltajında, 20A kollektör akımında) olarak belirtilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, yüksek sıcaklık dayanımı gerektiren uygulamalara uygundur. Trench Field Stop yapısı, hızlı anahtarlama ve düşük kayıp özelliğine katkı sağlar.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V