Görsel mevcut değil
NGTD17T65F2WP
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
NGTD17T65F2WP Hakkında
NGTD17T65F2WP, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistördür. Die formunda sunulan bu bileşen, yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 160A darbe akımı kapasitesi ve 40A'de 2V maksimum VCE(on) değeri ile etkili güç dönüştürme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, güç kaynakları, inverter devreleri ve motor sürücüleri gibi alanlarda tercih edilir. Standard giriş tipi ve yüzey montajı özellikleri, modern elektronik tasarımlarına uyumlu kılmaktadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V