Görsel mevcut değil
NGTD17T65F2SWK
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
NGTD17T65F2SWK Hakkında
NGTD17T65F2SWK, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip bir IGBT transistördür. 650V kolektör-emiter kırılma gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40A nominal akımda 2V maksimum Vce(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. Darbe akımı kapasitesi 160A olan bu bileşen, Die paket formatında sağlanır ve Surface Mount montajına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan sıcaklık aralığında güvenli işletim sağlar. Güç dönüştürücüler, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V