Görsel mevcut değil
NGTD14T65F2WP
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
NGTD14T65F2WP Hakkında
NGTD14T65F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop yapılı bir IGBT transistördür. 650V kollektör-emitör kırılma voltajı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama görevi yapar. Die (kalıp) biçiminde sunulan bu bileşen, standart giriş tipine sahip olup -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışır. 15V kapı voltajında 35A akımında maksimum 2V açık durum voltajı ile karakterizedir. Şarj kontrolü, AC/DC güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 35A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V