Görsel mevcut değil
NGTD13T65F2WP
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
NGTD13T65F2WP Hakkında
NGTD13T65F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine sahip 650V IGBT transistördür. Die (kalıp) formunda sunulan bu bileşen, yüksek akım anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 120A pulse collector akımı kapasitesi, 30A'de 2.2V maksimum VCE(on) değeri ve 650V collector-emitter breakdown voltajı ile endüstriyel güç dönüştürme devrelerinde, motor kontrolü, invertör ve solar enerji sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V