Görsel mevcut değil
NGTD13T65F2SWK
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
NGTD13T65F2SWK Hakkında
NGTD13T65F2SWK, onsemi tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT bileşenidir. Die paket formatında sunulan bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 120A darbe akımı kapasitesi ve 2.2V maksimum Vce(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir operasyon olanağı verir. Özellikle invertör, motor kontrol ve enerji yönetim sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Active
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V