Görsel mevcut değil
NGTD13T120F2WP
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT TRENCH FIELD STOP
NGTD13T120F2WP Hakkında
NGTD13T120F2WP, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojisine dayalı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 1200V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 15A nominal collector akımında Vce(on) değeri 2.4V olup, enerji kaybını minimize ederek verimli anahtarlama sağlar. Standard giriş tipi ile standart kontrolcü ve sürücü devrelerle uyumludur. Die formunda sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, kaynak makinaları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Trench Field Stop yapısı, geçiş sürelerinde iyileştirme ve kapatma kayıplarının azaltılmasını sağlar.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Wafer
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V