Görsel mevcut değil
NGTB40N65IHL2WG
NGTB40N65IHL2WG Hakkında
NGTB40N65IHL2WG, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop teknolojili IGBT transistördür. 650V kollektör-emitter gerilimi, 80A maksimum kollektör akımı ve 160A puls akımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygundur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaybını minimize etmek için 465ns ters kurtarma süresine sahiptir. 135nC gate yükü ve 140ns açılış/kapanış zamanı ile hızlı ve verimli anahtarlama performansı sağlar. Maksimum 300W güç kapasitesi ile motor kontrolü, güç kaynakları, UPS sistemleri ve indüktif yükler için anahtarlama uygulamalarında yer alabilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, 2.2V Vce(on) sabit gerilimi ile düşük iletim kayıpları sunar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
135 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
300 W
Reverse Recovery Time (trr)
465 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
360µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/140ns
Test Condition
400V, 40A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V