Görsel mevcut değil
NGTB30N60L2WG
NGTB30N60L2WG Hakkında
NGTB30N60L2WG, onsemi tarafından üretilen 600V 30A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 100A maksimum kolektör akımı ve 225W güç dağıtımı kapasitesi ile endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları, UPS sistemleri ve DC/AC dönüştürücü uygulamalarında yer alır. 1.6V Vce(on) değeri ve 70ns geri kurtarma süresi ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenilir operasyon sunmaktadır. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
166 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
225 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
310µJ (on), 1.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
100ns/390ns
Test Condition
300V, 30A, 30Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V