Görsel mevcut değil
NGTB30N135IHRWG
NGTB30N135IHRWG Hakkında
NGTB30N135IHRWG, onsemi tarafından üretilen Trench Field Stop tabanlı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 1350V collector-emitter breakdown voltajı ve 60A maksimum collector akımı özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 394W maksimum güç dağıtabilir. 250ns kapalı geçiş süresi (Td off) ve düşük 2.65V on-state voltajı (Vce(on)) sayesinde yüksek frekans uygulamalarında verimli çalışır. -40°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı endüstriyel ve tıbbi cihazlarda kullanılmaya uygundur. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılan bu komponentin üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
234 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
394 W
Supplier Device Package
TO-247
Switching Energy
850µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/250ns
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.65V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350 V