Görsel mevcut değil
NGTB30N135IHR1WG
NGTB30N135IHR1WG Hakkında
NGTB30N135IHR1WG, onsemi tarafından üretilen yüksek voltaj IGBT transistörüdür. Trench Field Stop teknolojisine sahip bu bileşen, 1350V yalıtım voltajı ve 30A sürekli akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. 60A maksimum ve 120A pulslu akım sınırlarına sahiptir. TO-247-3 paketlemesiyle Through Hole montajına uygun olup, -40°C ile 175°C arasında çalışabilir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 30A akım için 3V seviyesindedir. 220nC gate charge ve 200ns switching time özellikleri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel invertör, motor kontrol ve kaynak cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu ürün kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
220 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
394 W
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
630µA (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/200ns
Test Condition
600V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1350 V