Görsel mevcut değil
NGTB20N60L2TF1G
- Üretici
- onsemi
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 20A TO3PF
NGTB20N60L2TF1G Hakkında
NGTB20N60L2TF1G, onsemi tarafından üretilen 600V, 20A nominal akımlı bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-3PFM paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 40A maksimum collector akımı ve 80A pulse akımı desteği ile, inverter devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel şalter uygulamalarında yer bulur. 1.65V on-state voltajı düşük ısıl kayıplar sağlarken, 84nC gate charge hızlı anahtarlama için gerekli güç tüketimini minimize eder. 175°C maksimum çalışma sıcaklığında 64W güç dağıtabilen bu bileşen, 70ns reverse recovery time ile düşük EMI emisyonları sunar.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
80 A
Gate Charge
84 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-3PFM, SC-93-3
Part Status
Active
Power - Max
64 W
Reverse Recovery Time (trr)
70 ns
Supplier Device Package
TO-3PF-3
Td (on/off) @ 25°C
60ns/193ns
Test Condition
300V, 20A, 30Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.65V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V