Görsel mevcut değil
NGTB15N120FL2WG
NGTB15N120FL2WG Hakkında
NGTB15N120FL2WG, onsemi tarafından üretilen 1200V 15A kapasiteli IGBT transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, solar inverterler ve UPS sistemlerinde yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, maksimum 294W güç dissipasyonuna ve 64ns/132ns açılış/kapanış gecikmesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 15A akımda 2.4V olarak belirlenmiştir. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında dayanıklı çalışım sağlar. 110ns ters kurtarma zamanı ve düşük anahtarlama enerjileri (1.2mJ açılış, 370µJ kapanış) ile verimli devrelere katkı sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
60 A
Gate Charge
109 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
294 W
Reverse Recovery Time (trr)
110 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.2mJ (on), 370µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
64ns/132ns
Test Condition
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V