NGTB10N60R2DT4G

Üretici: onsemi
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-252-3
Açıklama: IGBT 600V 20A DPAK

NGTB10N60R2DT4G Hakkında

NGTB10N60R2DT4G, onsemi tarafından üretilen 600V rated IGBT transistörüdür. 20A sürekli collector akımı ve 40A pulsed akım kapasitesine sahiptir. DPak (TO-252-3) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, switching uygulamalarında, AC/DC dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve industrial kontrol sistemlerinde kullanılır. 53nC gate charge ile hızlı switching performansı sağlar ve 175°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. 2.1V Vce(on) değeriyle enerji verimli tasarımlar için uygundur. Cihazın durumu 'Obsolete' olarak işaretlenmiştir.

Ürün Özellikleri

16 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 20 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A

Gate Charge 53 nC

Input Type Standard

Mounting Type Surface Mount

Operating Temperature 175°C (TJ)

Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Part Status Obsolete

Power - Max 72 W

Reverse Recovery Time (trr) 90 ns

Supplier Device Package DPAK

Switching Energy 412µJ (on), 140µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 48ns/120ns

Test Condition 300V, 10A, 30Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V