Görsel mevcut değil
NGTB03N60R2DT4G
NGTB03N60R2DT4G Hakkında
NGTB03N60R2DT4G, onsemi tarafından üretilen 600V 9A IGBT transistördür. TO-252-3 (DPAK) SMD paket içinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum collector akımı 9A (darbe akımı 12A), veri sayfasında belirtilen test koşullarında (300V, 3A, 30Ohm) Vce(on) 2.1V'dir. 17nC gate charge ve 50µJ on, 27µJ off switching energy ile verimli anahtarlama sağlar. Açılma/kapanma gecikmesi sırasıyla 27ns/59ns, reverse recovery time 65ns'dir. Maksimum 49W güç tüketimi ve 175°C işletme sıcaklığında çalışabilir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve güç elektronikleri uygulamalarında tercih edilir. Ürün obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
9 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
12 A
Gate Charge
17 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
49 W
Reverse Recovery Time (trr)
65 ns
Supplier Device Package
DPAK
Switching Energy
50µJ (on), 27µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
27ns/59ns
Test Condition
300V, 3A, 30Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V