Görsel mevcut değil
NGD8201NT4G
NGD8201NT4G Hakkında
NGD8201NT4G, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 440V breakdown voltajı ve 20A sürekli kolektör akımı ile düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maximum 125W güç tüketimine sahip bu transistör, DPAK (TO-252) yüzey montajı kasa tipinde sunulmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 5µs kapalı duruma geçiş süresi ile orta hız anahtarlama uygulamalarına uygundur. SMPS, motor kontrolü ve güç dönüştürme devrelerinde yer alır. Dikkat: Bu ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
125 W
Supplier Device Package
DPAK
Td (on/off) @ 25°C
-/5µs
Test Condition
300V, 9A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
440 V