Görsel mevcut değil
NGD18N45CLBT4G
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 500V 18A DPAK
- Aile / Seri
- NGD18N45CLBT4G
NGD18N45CLBT4G Hakkında
NGD18N45CLBT4G, Littelfuse tarafından üretilen 500V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 18A sürekli kolektör akımı ve 50A darbe akımı kapasitesine sahip bu komponent, DPak (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Logic seviyesi giriş kontrolüne uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 2.3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Maksimum 115W güç dağıtım kapasitesine sahip olan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği (420ns açılış, 2.9µs kapanış) ile verimli güç işleme sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
115 W
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Td (on/off) @ 25°C
420ns/2.9µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 4.5V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V
İlgili Ürünler
