Görsel mevcut değil
NGD18N45CLBT4G
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- IGBT 500V 18A DPAK
NGD18N45CLBT4G Hakkında
NGD18N45CLBT4G, Littelfuse tarafından üretilen 500V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 18A sürekli kolektör akımı ve 50A darbe akımı kapasitesine sahip bu komponent, DPak (TO-252-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Logic seviyesi giriş kontrolüne uygun olup, -55°C ile 175°C arasında çalışabilmektedir. 2.3V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. Maksimum 115W güç dağıtım kapasitesine sahip olan bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, DC-DC konvertörlerde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği (420ns açılış, 2.9µs kapanış) ile verimli güç işleme sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
115 W
Supplier Device Package
TO-252, (D-Pak)
Td (on/off) @ 25°C
420ns/2.9µs
Test Condition
300V, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 4.5V, 7A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V