Görsel mevcut değil
NGB8207NT4G
NGB8207NT4G Hakkında
NGB8207NT4G, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 365V kollektör-emitör kırılma voltajı ve maksimum 20A sürekli akım, 50A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. D2PAK yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 165W maksimum güç yönetimine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Vce(on) değeri 4V gate voltajında 20A akımda 2.6V olarak belirlenmiştir. Endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir seçenektir. Düşük on-state voltajı ve kompakt paket tasarımı ısı dağıtımını kolaylaştırır. Bu ürün artık üretimdeki ürünler arasında bulunmamaktadır (obsolete).
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
165 W
Supplier Device Package
D²PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 4V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
365 V