Görsel mevcut değil
NGB8207BNT4G
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
- Aile / Seri
- NGB8207
NGB8207BNT4G Hakkında
NGB8207BNT4G, Littelfuse tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 365V maksimum besleme voltajında 20A sürekli kolektör akımı sağlayabilir ve 165W güç yayabilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı kasa ile sunulan bu bileşen, Vce(on) değeri 4V gate voltajında 2.6V olup düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir. 50A nabız akımı kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilmektedir. IGBT'ler güç anahtarlaması uygulamalarında, şu an üretime devam edilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
165 W
Supplier Device Package
D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 4V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
365 V
İlgili Ürünler
