Görsel mevcut değil
NGB8207BNT4G
- Üretici
- Littelfuse
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-263-3
- Açıklama
- IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
NGB8207BNT4G Hakkında
NGB8207BNT4G, Littelfuse tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 365V maksimum besleme voltajında 20A sürekli kolektör akımı sağlayabilir ve 165W güç yayabilir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajı kasa ile sunulan bu bileşen, Vce(on) değeri 4V gate voltajında 2.6V olup düşük iletim kaybı karakteristiğine sahiptir. 50A nabız akımı kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilmektedir. IGBT'ler güç anahtarlaması uygulamalarında, şu an üretime devam edilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
165 W
Supplier Device Package
D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 4V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
365 V