Görsel mevcut değil
NGB8207ANT4G
NGB8207ANT4G Hakkında
NGB8207ANT4G, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 365V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 20A nominal akım kapasitesi ile medium güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Surface mount D²PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu bileşen, 165W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları ve UPS sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 3.7V gate voltajında 10A akımda 2.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Nota bileşen obsolete durumundadır.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
165 W
Supplier Device Package
D²PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 3.7V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
365 V