Görsel mevcut değil
NGB8204NT4G
NGB8204NT4G Hakkında
NGB8204NT4G, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 430V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 18A DC collector akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sağlanan bu bileşen, 115W maksimum güç disipasyonu gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olup, endüstriyel denetim devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Lojik seviyesi giriş kontrolüne uyumlu tasarımı sayesinde modern entegre devreleri ile kolayca entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
115 W
Supplier Device Package
D²PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 4V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V