Görsel mevcut değil
NGB8202NT4G
NGB8202NT4G Hakkında
NGB8202NT4G, onsemi tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 440V collector-emitter gerilim sınırlaması ve 20A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 150W maksimum güç kapasitesi ve 5µs kapalı duruma geçiş süresi ile karakterizedir. Logic tipi giriş yapısına sahip olan bu bileşen, D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketiyle sunulmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Switching uygulamaları, motor kontrolü, dc/dc dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Düşük Vce(on) değeri (4.5V gate voltajında 1.9V) verim kaybını minimize eder. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
150 W
Supplier Device Package
D²PAK
Td (on/off) @ 25°C
-/5µs
Test Condition
300V, 9A, 1kOhm, 5V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 4.5V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
440 V