Görsel mevcut değil
NGB18N40CLBT4G
NGB18N40CLBT4G Hakkında
NGB18N40CLBT4G, onsemi tarafından üretilen 430V rated IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 18A sürekli collector akımı ve 50A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2.5V maksimum VCE(on) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 115W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile sunucu power supply'leri, motor kontrolü, endüstriyel invertör ve welding ekipmanları gibi güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
50 A
Input Type
Logic
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
115 W
Supplier Device Package
D²PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 4V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
430 V