Görsel mevcut değil
NCE60P12K P-Kanal 12A 60V 60W TO-252 DPAK Mosfet Transistör
NCE60P12K
- Üretici
- NCE Power
- Kılıf / Paket
- —
NCE60P12K P-Kanal 12A 60V 60W TO-252 DPAK Mosfet Transistör Hakkında
NCE60P12K, orta güç seviyesinde anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 12A maksimum drain akımı ile batarya hatları, ters polarite koruması ve DC güç anahtarlama devrelerinde güvenle kullanılabilir.
0.1Ω RDS(on) değeri ile iletim kayıplarını kabul edilebilir seviyede tutar. Düşük gate eşik gerilimi (2.2V) sayesinde lojik seviyeli sürücülerle rahatça kontrol edilebilir. TO-252 (DPAK) SMD kılıfı, kompakt PCB tasarımlarında iyi ısı dağılımı ve kolay montaj imkânı sunar.
| Parça Kodu | NCE60P12K |
|---|---|
| Transistör Tipi | MOSFET |
| Kanal Tipi | P-Channel |
| Maksimum Drain-Source Gerilimi (Vds) | 60 V |
| Maksimum Drain Akımı (Id) | 12 A |
| Maksimum Gate-Source Gerilimi (Vgs) | ±20 V |
| Gate Threshold Gerilimi (Vgs(th)) | 2.2 V (max) |
| RDS(on) | 0.1 Ω (max) |
| Toplam Gate Yükü (Qg) | 37.6 nC |
| Rise Time (tr) | 14 ns |
| Çıkış Kapasitansı (Coss) | 90.6 pF |
| Maksimum Güç Dağılımı (Pd) | 60 W |
| Maksimum Birleşim Sıcaklığı (Tj) | 175 °C |
| Montaj Tipi | SMD |
| Kılıf / Kasa | TO-252 (DPAK) |