Görsel mevcut değil
MSC2712GT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 100MA SC59
MSC2712GT1G Hakkında
MSC2712GT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount TO-236-3 (SC-59, SOT-23-3) paketinde sunulan bu transistör, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 200mW güç dağıtım kapasitesine ve 50MHz transition frequency'sine sahiptir. DC current gain (hFE) değeri 2mA collector akımında 6V Vce'de minimum 200'dür. Maksimum collector cutoff akımı 100nA olup, saturation voltajı 10mA base akımında 100mA collector akımında 500mV'tur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Genel amaçlı anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SC-59
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V