Görsel mevcut değil
MSA1162YT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.1A SC-59
MSA1162YT1G Hakkında
MSA1162YT1G, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup SC-59 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 50V kolektör-emiter gerilimi ve 100mA kolektör akımı kapasitesine sahip bu transistör, düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 80MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Maksimum 200mW güç tüketimine sahip olup, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığını destekler. 120 minimum DC current gain ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Küçük boyutlu SC-59 paketlemesi, kompakt tasarımlar için elverişlidir. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SC-59
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V