Görsel mevcut değil
MSA1162GT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 100MA SC59
MSA1162GT1G Hakkında
MSA1162GT1G, onsemi tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SC-59 (SOT-23-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 50V collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 80MHz transition frequency özelliğine sahip olan transistör, 200mW maksimum güç dissipasyonu sınırlaması içerisinde işletilir. DC current gain değeri 2mA collector akımında 200'dür. 150°C maksimum junction sıcaklığına dayanabilen bu transistör, genel sinyal amplifikasyon, anahtarlama uygulamaları ve düşük güç tasarımlarında kullanılır. Aktif durumdaki parçanın 500mV saturasyon voltajı, düşük kayıp anahtarlama devreleri için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
SC-59
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V