Görsel mevcut değil
MPSW01G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR
MPSW01G Hakkında
MPSW01G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörlüdür. Maksimum 1A collector akımı ve 1W güç dağıtım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-92 through-hole paketinde sunulan bu transistör, 50MHz transition frequency ile orta hızlı switching uygulamalarında kullanılır. 30V breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı ile düşük seviyeli sinyallerin amplifikasyonu ve anahtarlama işlevlerinde yer alabilir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92 (TO-226)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V