Görsel mevcut değil
MPSA06T93
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 0.5A TO-92
MPSA06T93 Hakkında
MPSA06T93, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92 paketinde sunulmaktadır. Maximum 80V collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı kapasitesine sahip bu transistör, 350mW güç tüketimi ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency ile orta hızlı işlem gerçekleştirebilir. 100mA collector akımında 100 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Elektrik sistemleri, sinyal işleme devreleri, kontrol uygulamaları ve genel amaçlı BJT uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Operating temperature sınırı maksimum 150°C'dir. Notunuz: Bu ürün Obsolete (üretimi sonlandırılmış) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Part Status
Obsolete
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V