Görsel mevcut değil
MMJT350T1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 300V 0.5A SOT-223
MMJT350T1G Hakkında
MMJT350T1G, onsemi tarafından üretilen yüksek voltajlı PNP bipolar junction transistördür. 300V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-223 yüzey montaj paketine sahip olan bu transistör, 650mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile analog anahtarlama, sürücü devreleri ve düşük frekans amplifikatör uygulamalarında tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. TO-261-4 paket konfigürasyonu kompakt tasarımlar için avantaj sağlar.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Part Status
Active
Power - Max
650 mW
Supplier Device Package
SOT-223 (TO-261)
Transistor Type
PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V