Görsel mevcut değil
MMBTA70LT1
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 40V 0.1A SOT-23
MMBTA70LT1 Hakkında
MMBTA70LT1, onsemi tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, SO-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paket içerisinde sunulmaktadır. 40V maksimum Vce ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bir anahtarlama transistörüdür. 125MHz transition frequency ve 250mV saturasyon gerilimi ile hızlı darbe devrelerinde, sinyal amplifikasyonunda ve dijital lojik seviye kaydırma uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılmaktadır. DC current gain (hFE) değeri 5mA/10V koşullarında minimum 40 olup, genel amaçlı anahtarlama devrelerinin tasarımında yeterlidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V