Görsel mevcut değil
MMBTA43LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 200V 0.05A SOT-23
MMBTA43LT1G Hakkında
MMBTA43LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. 200V maksimum Collector-Emitter breakdown voltajı ve 50mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve genel amaçlı transistör uygulamalarında yer alabilir. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. 50MHz transition frequency özelliği ile orta frekanslı devre uygulamalarında tercih edilebilir. ICBO (Collector cutoff current) maksimum 100nA olup, Vce saturation voltajı 500mV @ 20mA dir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
200 V