Görsel mevcut değil
MMBTA20LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 40V 0.1A SOT-23
MMBTA20LT1G Hakkında
MMBTA20LT1G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bu komponent, 40V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 125MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 225mW maksimum güç tüketimi ve -55°C ile +150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama, lojik seviyeleme ve RF uygulamaları gibi çeşitli devrelerde tercih edilir. 250mV saturation gerilimi ile verimli çalışma sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition
125MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V