Görsel mevcut değil
MMBTA06LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 500MA SOT23-3
MMBTA06LT1G Hakkında
MMBTA06LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistöründür. SOT-23-3 (TO-236) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80V kollektör-emitör gerilimi ve 500mA kollektör akımı ile çalışabilir. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılan transistör, DC akım kazancı (hFE) 100mA, 1V şartlarında minimum 100'dür. 225mW maksimum güç tüketimine sahip olan MMBTA06LT1G, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile +150°C) güvenilir performans sunar. RF amplifikatörler, hızlı anahtar devreleri, audio uygulamaları ve çeşitli sinyal işleme devreleri gibi küçük sinyal amplifikasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici ürünlerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V