Görsel mevcut değil
MMBTA05LT3G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN BIPOLAR TRANSISTOR
MMBTA05LT3G Hakkında
MMBTA05LT3G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörtür (BJT). Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 500mA collector akımı ve 60V collector-emitter breakdown voltajı ile tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ve 225mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç uygulamalarında kullanıma uygundur. DC current gain (hFE) minimum 100 değerinde sağlanır. -55°C ile +150°C arasındaki çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, kontrol uygulamalarında ve transistör mantık devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V