Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
MMBTA05LT3G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 500MA SOT23
MMBTA05LT3G Hakkında
MMBTA05LT3G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montajlı paket içinde sunulan bu komponentin maksimum kolektor akımı 500 mA ve maksimum kolektor-emitter gerilimi 60 V olup, 225 mW güç yayabilir. 100 MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. Minimum DC akım kazanç (hFE) 100 @ 100 mA, 1 V koşullarında elde edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, genel amaçlı sinyal anahtarlama, darbe işleme, düşük-orta güçlü amplifikasyon ve dijital mantık arayüz uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Küçük paketi ve düşük maliyet profili sayesinde tüketici elektroniği ve endüstriyel kontrol devrelerinde tercih edilen bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V