Görsel mevcut değil
MMBT6521LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 25V 100MA SOT23-3
MMBT6521LT1G Hakkında
MMBT6521LT1G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistöründür (BJT). SOT-23-3 (TO-236) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, 25V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışır. 300 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 500mV saturasyon voltajı özellikleri ile düşük seviyelerdeki işaret amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, ses sistemleri, RF amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve düşük güç sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 225mW maksimum güç dağılımı kapasitesi ile hafif yük koşullarında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 2mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V