Görsel mevcut değil
MMBT6520LT1G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 350V 500MA SOT23-3
MMBT6520LT1G Hakkında
MMBT6520LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek gerilim PNP bipolar junction transistörüdür. 350V collector-emitter gerilim dayanımı ve 500mA maximum collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. SOT-23-3 yüzeye montajlı paketlemesi ile kompakt tasarımlara entegrasyonu sağlar. 200MHz geçiş frekansı ve 225mW maksimum güç tüketimi özellikleriyle anahtarlama devrelerinde, amplifikasyon uygulamalarında ve düşük sinyal seviyesi kontrolü gereken sistemlerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
225 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V